石英晶片的外形加工包括两个方面：

1、石英晶片外形加工

(1)圆形片外形加工

a、根据改圆直径要求，将石英晶片排列成一定长度的迭片，

b、粘砣：将地腊(CnH2n+2)、松香(C19H29COOH)（比例：夏天1:1，冬天2:1），（地腊的软化点为85℃）在120-180℃烘箱内加热溶化，将迭片放入120-180℃烘箱内预热10-15分钟，取松腊剂浇在迭片上。

c、分籽晶：用专用分籽晶机由外刃钻刀片切断，冷却液为皂化液:水=1:25。

d、改圆。当φ≤14时，磨床转速为450转/分，首次进给1-2mm，每次进给0.2-0.5mm，所用钻石磨轮为TR80#、TR150#。三个钻石磨轮直径相互相差0.08mm，最后在6S研磨机上磨外圆，外圆的光洁度应与石英晶片大平面最后研磨的光洁度一致, 磨到直径的要求：对需滚倒的石英片要留出滚倒时直径变小的留量，对平面片的直径应符合设计规格表上的要求。

(2)矩形片外形加工

a、根据工艺要求，将片子排列成长度为25mm(两边放入厚2mm相应玻璃片)。

b、粘砣：用折蜡胶在热板上加热自动吸附粘接而成，要求晶砣必须整齐，无气泡。

c、切砣：以49S和SMD3225为例，49S晶片一次切割完成，SMD3225晶片先切宽度尺寸后，经过精密研磨到规定宽度尺寸后，再用301厌氧胶粘接，再进行二次切割长度方向，经过精密研磨到规定尺寸后而完成。目前一般多采用多线切割方式完成，切割后留下加工余量为0.15mm，然后经过GC3000#至WA4000#的精密研磨到规定尺寸。

2、石英晶片的质量检测

在石英晶片的整个生产过程中，都必须进行严格的检测，以保证产品能满足各项技术指标。石英晶片的检测包括：晶片内部缺陷、几何尺寸、切角误差、平行度、平面度、表面光洁度和频率等。

      3、石英晶片的质量对石英晶体元件的影响

石英晶片质量的优劣对石英晶体元件的各项参数有很大影响：

(1)石英晶片含有缺陷（主要是双晶和小部分较大的包裹体），会引起频率不符，频率温度特性变差，活力下降；

(2)石英晶片表面光洁度不好，会引起频率变化，老化率增大，活力下降和DLD不合格。石英晶片表面出现沙坑、砂痕、破边、破角和裂纹等情况时，也会降低晶片的活力，DLD性能变差，特别是当石英晶片厚度较薄时(高频晶片)，影响更显著。

(3)石英晶片表面平行度、平面度差，会使电阻增大，电阻温度特性变差，活力下降甚至停振，寄生振动增多。

(4)石英晶片的切角不对或误差大，会造成石英晶体元件频率温度特性、零温度系数点、频率常数发生变化，进而导致频率不符。

(5)石英晶片的边比不对，将会使寄生振动的耦合增强，使频率温度特性曲线畸变。

(6)石英晶片的曲率半径发生改变时，频率温度特性也会随便之改变。当曲率半径变小时，最佳切角就越小，小平台直径减小时，切角要相应的减小；平台直径越大，等效电阻增大；留边量增大，则等效电阻增大。